창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CAT809STBI-GT10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CAT809STBI-GT10 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CAT809STBI-GT10 | |
| 관련 링크 | CAT809STB, CAT809STBI-GT10 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM21BR72A333KA01L | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BR72A333KA01L.pdf | |
![]() | SR201C333JAA | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201C333JAA.pdf | |
![]() | M42FA | M42FA NS DIP-8 | M42FA.pdf | |
![]() | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | M3-7641-5 | M3-7641-5 HAR SMD or Through Hole | M3-7641-5.pdf | |
![]() | MAX4134EUA | MAX4134EUA MAXIM SMD or Through Hole | MAX4134EUA.pdf | |
![]() | MIC427BJ | MIC427BJ MICREL CDIP8 | MIC427BJ.pdf | |
![]() | MC74HC126ADR2 HC126A | MC74HC126ADR2 HC126A ON SOP-14 | MC74HC126ADR2 HC126A.pdf | |
![]() | EL5300YA | EL5300YA ELANTEC SOP24 | EL5300YA.pdf | |
![]() | 49MC474A025K0ASFT | 49MC474A025K0ASFT PHI 25V0.47A | 49MC474A025K0ASFT.pdf | |
![]() | 901-9908 | 901-9908 AMP SMD or Through Hole | 901-9908.pdf | |
![]() | SFE843 | SFE843 MOT CAN4 | SFE843.pdf |