창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CAT660EVA-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CAT660EVA-G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CAT660EVA-G | |
| 관련 링크 | CAT660, CAT660EVA-G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1HR75CA01D | 0.75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1HR75CA01D.pdf | |
![]() | 65N222MEFCH | 2200pF 250VAC 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | 65N222MEFCH.pdf | |
![]() | X1E000021006500 | 19.2MHz ±10ppm 수정 9.5pF -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | X1E000021006500.pdf | |
![]() | ISC1812ES330J | 33µH Shielded Wirewound Inductor 202mA 1.72 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES330J.pdf | |
![]() | 95J3K3E | RES 3.3K OHM 5W 5% AXIAL | 95J3K3E.pdf | |
![]() | E3C-2 5M | SENS PHOTOELCT 2M TBEAM 5M CABLE | E3C-2 5M.pdf | |
![]() | YB1200SC70S-2.8 | YB1200SC70S-2.8 NCP SMD or Through Hole | YB1200SC70S-2.8.pdf | |
![]() | P205PH06FJ0 | P205PH06FJ0 WESTCODE SMD or Through Hole | P205PH06FJ0.pdf | |
![]() | QL6250-4PQ208C | QL6250-4PQ208C ORIGINAL SMD or Through Hole | QL6250-4PQ208C.pdf | |
![]() | VLP-200-R | VLP-200-R BIVAR SMD or Through Hole | VLP-200-R.pdf | |
![]() | 6655-90980006 | 6655-90980006 HONEYWELL SMD or Through Hole | 6655-90980006.pdf | |
![]() | LXD83622 | LXD83622 SAMSUNG TQFP-100 | LXD83622.pdf |