창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C3225C0G1H683J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | C3225C0G1H683J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 1210 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | C3225C0G1H683J | |
| 관련 링크 | C3225C0G, C3225C0G1H683J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | LD035C331KAB2A | 330pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD035C331KAB2A.pdf | |
![]() | CX3225SB12288H0FLJCC | 12.288MHz ±10ppm 수정 12pF 150옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225SB12288H0FLJCC.pdf | |
![]() | 9C16000001 | 16MHz ±30ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C16000001.pdf | |
![]() | 4-2176075-6 | 6.8nH Unshielded Thin Film Inductor 110mA 2.3 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | 4-2176075-6.pdf | |
![]() | CUS05(TE85L,Q) | CUS05(TE85L,Q) TOSHIBA STOCK | CUS05(TE85L,Q).pdf | |
![]() | KME25VB-4700(25V4700MF) | KME25VB-4700(25V4700MF) NIPPONCHEMI-CON SMD or Through Hole | KME25VB-4700(25V4700MF).pdf | |
![]() | C1005C0G1H1R2CT000F | C1005C0G1H1R2CT000F TDK SMD or Through Hole | C1005C0G1H1R2CT000F.pdf | |
![]() | XC9572PQ100AEM/ASJ 10C | XC9572PQ100AEM/ASJ 10C XILINX SMD or Through Hole | XC9572PQ100AEM/ASJ 10C.pdf | |
![]() | 19199-0007 | 19199-0007 MOLEX ROHS | 19199-0007.pdf | |
![]() | MSM6015 | MSM6015 QUALCOMM BGA | MSM6015.pdf | |
![]() | 3-103240-2 | 3-103240-2 TYCO con | 3-103240-2.pdf |