창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3225C0G1H473K200AA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3225C0G1H473K200AA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.047µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.087"(2.20mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 445-14866-2 C3225C0G1H473KT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C3225C0G1H473K200AA | |
관련 링크 | C3225C0G1H4, C3225C0G1H473K200AA 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
MCR03EZPFX68R0 | RES SMD 68 OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX68R0.pdf | ||
95J18R | RES 18 OHM 5W 5% AXIAL | 95J18R.pdf | ||
HIF3BA-60PA-2.54DSA(71) | HIF3BA-60PA-2.54DSA(71) HRS HIF3BA-60PA-2.54DSA( | HIF3BA-60PA-2.54DSA(71).pdf | ||
SFECV10.7MS3S-TC | SFECV10.7MS3S-TC MURATA SMD | SFECV10.7MS3S-TC.pdf | ||
SGM32CN222-2A | SGM32CN222-2A ORIGINAL SMD or Through Hole | SGM32CN222-2A.pdf | ||
D0633AB | D0633AB DIALOG SMD or Through Hole | D0633AB.pdf | ||
TDA4305T* | TDA4305T* PHILIPS SOP-14 | TDA4305T*.pdf | ||
AAEZ0530 | AAEZ0530 ORIGINAL QFN-12D | AAEZ0530.pdf | ||
CY74FCT16500CTPVCT | CY74FCT16500CTPVCT TI SSOP56 | CY74FCT16500CTPVCT.pdf | ||
SAK-XC866-2FR1 | SAK-XC866-2FR1 INFINEON 6.14E 15 | SAK-XC866-2FR1.pdf | ||
MAX4582ESE-T | MAX4582ESE-T MAXIM SOP16 | MAX4582ESE-T.pdf |