창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216X5R1E226M160AB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216X5R1E226M160AB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 22µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-6000-2 C3216X5R1E226M C3216X5R1E226MTJ00N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C3216X5R1E226M160AB | |
관련 링크 | C3216X5R1E2, C3216X5R1E226M160AB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 520R25IA16M3680 | 16.368MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3V 2mA | 520R25IA16M3680.pdf | |
![]() | L8264-11P | L8264-11P ARM PLCC | L8264-11P.pdf | |
![]() | XC6383F501M | XC6383F501M SOT3 SMD or Through Hole | XC6383F501M.pdf | |
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![]() | MC33761SNT1-028G | MC33761SNT1-028G ON SMD or Through Hole | MC33761SNT1-028G.pdf | |
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![]() | CSTCG25M0V51-RO(1*2) | CSTCG25M0V51-RO(1*2) muRata SMD(3P) | CSTCG25M0V51-RO(1*2).pdf | |
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