창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216JB1C336M160AB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216JB1C336M160AB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 33µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | JB | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.069"(1.75mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-11694-2 C3216JB1C336MTJ00N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C3216JB1C336M160AB | |
관련 링크 | C3216JB1C3, C3216JB1C336M160AB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
CJT300150RJJ | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 300W | CJT300150RJJ.pdf | ||
F881DB473K300C | F881DB473K300C KEMET SMD or Through Hole | F881DB473K300C.pdf | ||
S98MS01GPF0FW003 | S98MS01GPF0FW003 SPANSION BGA | S98MS01GPF0FW003.pdf | ||
F501 | F501 UTC SOT-23 | F501.pdf | ||
K4J52324QC-BC12 | K4J52324QC-BC12 SAMSUNG BGA | K4J52324QC-BC12.pdf | ||
SAT600-B-TR | SAT600-B-TR SSOUSA DIPSOP | SAT600-B-TR.pdf | ||
ICS53423 | ICS53423 ICS PLCC | ICS53423.pdf | ||
22UH J(NLV32T220JPF) | 22UH J(NLV32T220JPF) TDK 3225 | 22UH J(NLV32T220JPF).pdf | ||
TL5001MJGB | TL5001MJGB TI SMD or Through Hole | TL5001MJGB.pdf | ||
SI5513CDC-T1 | SI5513CDC-T1 VISHAY SMD or Through Hole | SI5513CDC-T1.pdf | ||
QS3126(002910) | QS3126(002910) IDT SSOP16 | QS3126(002910).pdf |