창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012Y5V1E475Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, General Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, Gen Appl Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
PCN 단종/ EOL | MLCC Y5V 15/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2182 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | -20%, +80% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | Y5V(F) | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-3461-2 C2012Y5V1E475ZT C2012Y5V1E475ZT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C2012Y5V1E475Z | |
관련 링크 | C2012Y5V, C2012Y5V1E475Z 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GL143F35CET | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL143F35CET.pdf | |
![]() | STW60N65M5 | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 | STW60N65M5.pdf | |
![]() | H868RFZA | RES 68.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | H868RFZA.pdf | |
![]() | AQY221N | AQY221N NAIS SOP4 | AQY221N.pdf | |
![]() | AN79L24 | AN79L24 ORIGINAL to-92 | AN79L24.pdf | |
![]() | HA02A-M | HA02A-M TI TSSOP | HA02A-M.pdf | |
![]() | UC08G5213 | UC08G5213 UNITRODE DIP8 | UC08G5213.pdf | |
![]() | MCH183A182JK | MCH183A182JK ROHM SMD or Through Hole | MCH183A182JK.pdf | |
![]() | S03A888N1 | S03A888N1 ORIGINAL SMD or Through Hole | S03A888N1.pdf | |
![]() | FS103T | FS103T AIMI SMD or Through Hole | FS103T.pdf | |
![]() | CBT-90-R-C11-HJ101 | CBT-90-R-C11-HJ101 LUM SMD or Through Hole | CBT-90-R-C11-HJ101.pdf | |
![]() | TLC549IPSG4 | TLC549IPSG4 TI SMD or Through Hole | TLC549IPSG4.pdf |