창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C2012X5R1V226M125AC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec | |
| 제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
| 비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 35V | |
| 온도 계수 | X5R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 445-14428-2 C2012X5R1V226MT000E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C2012X5R1V226M125AC | |
| 관련 링크 | C2012X5R1V2, C2012X5R1V226M125AC 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445A33A16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33A16M00000.pdf | |
![]() | SIT1602BI-82-33E-54.000000Y | OSC XO 3.3V 54MHZ OE | SIT1602BI-82-33E-54.000000Y.pdf | |
![]() | RG1005N-8250-W-T1 | RES SMD 825 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-8250-W-T1.pdf | |
![]() | EXB-A10P103J | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 2512 | EXB-A10P103J.pdf | |
![]() | CMF552M2000FKR6 | RES 2.2M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552M2000FKR6.pdf | |
![]() | E2E-X10E1-Z. 2M BY OMS | E2E-X10E1-Z. 2M BY OMS OMRON SMD or Through Hole | E2E-X10E1-Z. 2M BY OMS.pdf | |
![]() | 2H1086 | 2H1086 BB SMD or Through Hole | 2H1086.pdf | |
![]() | IXSN55N120 | IXSN55N120 IXYS SMD or Through Hole | IXSN55N120.pdf | |
![]() | TCSCS1A107MDAR(10V100UF) | TCSCS1A107MDAR(10V100UF) SAMSUNG D | TCSCS1A107MDAR(10V100UF).pdf | |
![]() | MB8AA1131BBF2-ESE1 | MB8AA1131BBF2-ESE1 FUJ BGA | MB8AA1131BBF2-ESE1.pdf | |
![]() | AT41485TR1 | AT41485TR1 HP SMD or Through Hole | AT41485TR1.pdf | |
![]() | ECET2DA272EA | ECET2DA272EA PANASONIC DIP | ECET2DA272EA.pdf |