창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012X5R0J225M/1.25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, General C Series, Gen Appl Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2.2µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 6.3V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-7669-2 C2012X5R0J225MT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C2012X5R0J225M/1.25 | |
관련 링크 | C2012X5R0J2, C2012X5R0J225M/1.25 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
562R5TSD10RE | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 0.290" Dia(7.40mm) | 562R5TSD10RE.pdf | ||
B37979N1330J054 | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37979N1330J054.pdf | ||
VS-VSKE71/04 | DIODE GEN PURP 400V 80A ADDAPAK | VS-VSKE71/04.pdf | ||
Y1365V0255QT0U | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1365V0255QT0U.pdf | ||
ST2009DFI | ST2009DFI ORIGINAL SMD or Through Hole | ST2009DFI.pdf | ||
SPS-448-1-E1 | SPS-448-1-E1 SANYO SMD or Through Hole | SPS-448-1-E1.pdf | ||
05D220K | 05D220K ZOV DIP2 | 05D220K.pdf | ||
2N4091A | 2N4091A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N4091A.pdf | ||
IALS000B1103RB(4202-001024) | IALS000B1103RB(4202-001024) ORIGINAL SMD or Through Hole | IALS000B1103RB(4202-001024).pdf | ||
BCM56204A0KPBG | BCM56204A0KPBG Broadcom SMD or Through Hole | BCM56204A0KPBG.pdf | ||
H55S1G32AFP-A3 | H55S1G32AFP-A3 HYNIX SMD or Through Hole | H55S1G32AFP-A3.pdf | ||
BA9744AFV-E2 | BA9744AFV-E2 ROHM TSOP | BA9744AFV-E2.pdf |