- C2012JB0J475MTOSHN

C2012JB0J475MTOSHN
제조업체 부품 번호
C2012JB0J475MTOSHN
제조업 자
-
제품 카테고리
반도체 - 3
간단한 설명
C2012JB0J475MTOSHN TDK SMD
데이터 시트 다운로드
다운로드
C2012JB0J475MTOSHN 가격 및 조달

가능 수량

114800 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 C2012JB0J475MTOSHN 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. C2012JB0J475MTOSHN 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. C2012JB0J475MTOSHN가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
C2012JB0J475MTOSHN 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
C2012JB0J475MTOSHN 매개 변수
내부 부품 번호EIS-C2012JB0J475MTOSHN
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈C2012JB0J475MTOSHN
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) C2012JB0J475MTOSHN
관련 링크C2012JB0J4, C2012JB0J475MTOSHN 데이터 시트, - 에이전트 유통
C2012JB0J475MTOSHN 의 관련 제품
25MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F25013CLR.pdf
70MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 8.5mA Enable/Disable ASCO-70.000MHZ-L-T3.pdf
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263 SPB04N50C3ATMA1.pdf
8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max 0402 (1005 Metric) S0402-8N2J1S.pdf
RES SMD 2.2 OHM 1% 1/10W 0603 CRL0603-FW-2R20ELF.pdf
FIXED-FOCUS MOUNT BRACKET SH-61R MS-SH6-2.pdf
R6518AJ (R1113-18) ROCKWELL PLCC44 R6518AJ (R1113-18).pdf
1ZC20 TOSHIBA R1 1ZC20.pdf
S9S08AW32CE FREESCALE QFN-48 S9S08AW32CE.pdf
FH26W-23S-0.3SHW HRS SMD or Through Hole FH26W-23S-0.3SHW.pdf
BZV85C39,133 NXP SMD or Through Hole BZV85C39,133.pdf
SKCD42C060IHD SEMIKRON SMD or Through Hole SKCD42C060IHD.pdf