창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012C0G1E562J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, General Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, Gen Appl Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2181 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 5600pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.028"(0.70mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 445-2678-2 C2012C0G1E562JT C2012C0G1E562JT0H0N C2012COG1E562J | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C2012C0G1E562J | |
관련 링크 | C2012C0G, C2012C0G1E562J 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT9003AIU13-18DO-50.00000T | OSC XO 1.8V 50MHZ SD -0.50% | SIT9003AIU13-18DO-50.00000T.pdf | |
![]() | 680UF/400V | 680UF/400V ORIGINAL SMD or Through Hole | 680UF/400V.pdf | |
![]() | BA6581CK | BA6581CK TEAC QFP | BA6581CK.pdf | |
![]() | Z-1H60-0000AR | Z-1H60-0000AR SMK SMD or Through Hole | Z-1H60-0000AR.pdf | |
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![]() | DS21FF42N | DS21FF42N MAIXM NA | DS21FF42N.pdf | |
![]() | XC2S256-6VQ100C | XC2S256-6VQ100C XILINX QFP-100 | XC2S256-6VQ100C.pdf | |
![]() | GC1C107M6L006VR171 | GC1C107M6L006VR171 SAMWHA SMD or Through Hole | GC1C107M6L006VR171.pdf | |
![]() | WL2D476M12020 | WL2D476M12020 SAMWHA SMD or Through Hole | WL2D476M12020.pdf |