창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1808V683KDRACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ArcShield High Volt X7R | |
| 제품 교육 모듈 | ArcShield Protection Against Surface Arcing on High Voltage MLCC | |
| 주요제품 | ArcShield™ High-Voltage Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | ArcShield™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.068µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1808(4520 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.085"(2.15mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압, ArcShield™ | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 399-6486-2 C1808V683KDRAC C1808V683KDRAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1808V683KDRACTU | |
| 관련 링크 | C1808V683, C1808V683KDRACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | P0111DA 1AA3 | SCR 0.8A 400V 25UA TO-92 | P0111DA 1AA3.pdf | |
![]() | RU1H100R | RU1H100R RUICHIPS TO220 | RU1H100R.pdf | |
![]() | SN75ALS192NSRG4 | SN75ALS192NSRG4 TI SOP-16 | SN75ALS192NSRG4.pdf | |
![]() | CPF11K6000CEB14 | CPF11K6000CEB14 VIS HK11 | CPF11K6000CEB14.pdf | |
![]() | A2C0004L47L | A2C0004L47L ST QFP | A2C0004L47L.pdf | |
![]() | FDD15005 | FDD15005 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDD15005.pdf | |
![]() | LFLK1608330K-T | LFLK1608330K-T TAIYUDEN SMD or Through Hole | LFLK1608330K-T.pdf | |
![]() | TC4S66F /C9 | TC4S66F /C9 TOSHIBA SOT-153 | TC4S66F /C9.pdf | |
![]() | CE076R926ECB30 | CE076R926ECB30 MURATA SMD or Through Hole | CE076R926ECB30.pdf | |
![]() | IRF2955 | IRF2955 ORIGINAL TO-252.263 | IRF2955.pdf | |
![]() | TEA1733CT/N1 | TEA1733CT/N1 NXP SO8.TR | TEA1733CT/N1.pdf | |
![]() | K4D623238B-QC55T00 | K4D623238B-QC55T00 SAMSUNG TQFP | K4D623238B-QC55T00.pdf |