창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1808C104KBRACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Dielectric High Volt X7R | |
주요제품 | 630 V Rated Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.10µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 630V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1808(4520 미터법) | |
크기/치수 | 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.085"(2.15mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 고전압 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 399-6753-2 C1808C104KBRAC C1808C104KBRAC7800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1808C104KBRACTU | |
관련 링크 | C1808C104, C1808C104KBRACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
VJ0805D6R2DLXAP | 6.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D6R2DLXAP.pdf | ||
C907U509CYNDCAWL20 | 5pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U509CYNDCAWL20.pdf | ||
SIT8925BE-13-33E-125.000000D | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8925BE-13-33E-125.000000D.pdf | ||
BAT54 -7 | BAT54 -7 DIODES SOT-23 | BAT54 -7.pdf | ||
20.0000MP1 | 20.0000MP1 MTR SMD or Through Hole | 20.0000MP1.pdf | ||
TSM10201SDV | TSM10201SDV SAT SMD or Through Hole | TSM10201SDV.pdf | ||
LV-64/327VC48 | LV-64/327VC48 LATTICE TQFP | LV-64/327VC48.pdf | ||
N80C188XL-20 OLD | N80C188XL-20 OLD INTEL PLCC-68 | N80C188XL-20 OLD.pdf | ||
EFCH851MMTEB | EFCH851MMTEB PANASONIC C2X | EFCH851MMTEB.pdf | ||
SC87C451CC68/SC80C451CC68 | SC87C451CC68/SC80C451CC68 PHI PLCC-68 | SC87C451CC68/SC80C451CC68.pdf | ||
1SV216 /T4 | 1SV216 /T4 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV216 /T4.pdf | ||
LWY875 | LWY875 OSRAM SMD or Through Hole | LWY875.pdf |