창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1608C0G1H020CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | C1608C0G1H020CT | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | C1608C0G1H020CT | |
| 관련 링크 | C1608C0G1, C1608C0G1H020CT 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| RFS1A100MCN1GB | 10µF 10V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 220 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RFS1A100MCN1GB.pdf | ||
![]() | RNCP0805FTD51K1 | RES SMD 51.1K OHM 1% 1/4W 0805 | RNCP0805FTD51K1.pdf | |
![]() | UWS | UWS Catalyst SC70-6 | UWS.pdf | |
![]() | HZU4BLLTRF | HZU4BLLTRF HITACHI SOD-323 | HZU4BLLTRF.pdf | |
![]() | DDR1001. | DDR1001. MIT SIP5 | DDR1001..pdf | |
![]() | GDPXA255AOE200 | GDPXA255AOE200 INTEL BGA256 | GDPXA255AOE200.pdf | |
![]() | XC6209B33AMRN | XC6209B33AMRN TOREX ST23-5 | XC6209B33AMRN.pdf | |
![]() | HYMD132G725B4H/HY5DU28422BTH | HYMD132G725B4H/HY5DU28422BTH HYN DIMM | HYMD132G725B4H/HY5DU28422BTH.pdf | |
![]() | STP175 | STP175 HITANO DIP | STP175.pdf | |
![]() | N4971. | N4971. Linear QFN24 | N4971..pdf | |
![]() | 53S881J/883B | 53S881J/883B MMI SMD or Through Hole | 53S881J/883B.pdf | |
![]() | 2CGL30/10 | 2CGL30/10 ORIGINAL 200 30 90 | 2CGL30/10.pdf |