창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1206C822K1RACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 8200pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 399-8213-2 C1206C822K1RAC C1206C822K1RAC7800 C1206C822K1RACTU-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1206C822K1RACTU | |
| 관련 링크 | C1206C822, C1206C822K1RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 445C33C12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33C12M00000.pdf | |
![]() | TLV2543I | TLV2543I TI SSOP28 | TLV2543I.pdf | |
![]() | 24HST-1041 | 24HST-1041 LB SOP | 24HST-1041.pdf | |
![]() | NJM2138V(TE1) | NJM2138V(TE1) JRC STOCK | NJM2138V(TE1).pdf | |
![]() | MAX6309UK31D3-T | MAX6309UK31D3-T MAX SMD or Through Hole | MAX6309UK31D3-T.pdf | |
![]() | S3019B | S3019B ORIGINAL QFP | S3019B.pdf | |
![]() | KM-100H/J | KM-100H/J ORIGINAL SMD or Through Hole | KM-100H/J.pdf | |
![]() | 71609306LF | 71609306LF FRAMATOME SMD or Through Hole | 71609306LF.pdf | |
![]() | NRWP222M63V18 x 31.5F | NRWP222M63V18 x 31.5F NIC DIP | NRWP222M63V18 x 31.5F.pdf | |
![]() | M29F800DT90N6E | M29F800DT90N6E ST TSOP48 | M29F800DT90N6E.pdf | |
![]() | TC7SZ04AFE(TE85L | TC7SZ04AFE(TE85L Toshiba 5SOT23(4kReel) | TC7SZ04AFE(TE85L.pdf |