창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1206C399C1GACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 3.9pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | C1206C399C1GAC C1206C399C1GAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1206C399C1GACTU | |
| 관련 링크 | C1206C399, C1206C399C1GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | ELC-09D560DF | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 130 mOhm Radial | ELC-09D560DF.pdf | |
![]() | L08055R6BEWTR | 5.6nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L08055R6BEWTR.pdf | |
![]() | RT0603BRD078K66L | RES SMD 8.66KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD078K66L.pdf | |
![]() | 52808-2991 | 52808-2991 MOLEX SMD or Through Hole | 52808-2991.pdf | |
![]() | LSC417642P | LSC417642P MOT SMD or Through Hole | LSC417642P.pdf | |
![]() | GLF201208T100M | GLF201208T100M TDK SMD | GLF201208T100M.pdf | |
![]() | 238164034103 | 238164034103 BCCOMPONENTS SMD or Through Hole | 238164034103.pdf | |
![]() | JDV2S25SC | JDV2S25SC TOSHIBA SC2 | JDV2S25SC.pdf | |
![]() | ME6211C30P | ME6211C30P ORIGINAL SOT-89-5 | ME6211C30P.pdf | |
![]() | NL322522T-4R7 | NL322522T-4R7 ORIGINAL SMD or Through Hole | NL322522T-4R7.pdf | |
![]() | AM29F080B-75EC NO | AM29F080B-75EC NO AMD TSOP | AM29F080B-75EC NO.pdf | |
![]() | JSM08011SAQNR | JSM08011SAQNR C&K SMD or Through Hole | JSM08011SAQNR.pdf |