창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1206C274K3RACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.27µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | C1206C274K3RAC C1206C274K3RAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1206C274K3RACTU | |
| 관련 링크 | C1206C274, C1206C274K3RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 204-10SURT-S530-A3-C171 | 204-10SURT-S530-A3-C171 EVERLIGHT DIP | 204-10SURT-S530-A3-C171.pdf | |
![]() | QMV1003BS5 | QMV1003BS5 QMV BGA | QMV1003BS5.pdf | |
![]() | CXD2679-207GA | CXD2679-207GA SONY BGA | CXD2679-207GA.pdf | |
![]() | DF13C-15P-1.25V(51) | DF13C-15P-1.25V(51) HRS SMD or Through Hole | DF13C-15P-1.25V(51).pdf | |
![]() | MMZ1608D301BTD08 | MMZ1608D301BTD08 TDK SMD or Through Hole | MMZ1608D301BTD08.pdf | |
![]() | IR IRF2807P | IR IRF2807P IR SMD or Through Hole | IR IRF2807P.pdf | |
![]() | 10v47uf 6.3x5.3 | 10v47uf 6.3x5.3 NICHICONSAMWHA SMD or Through Hole | 10v47uf 6.3x5.3.pdf | |
![]() | TB2173FTG(O.EB) | TB2173FTG(O.EB) TOSHIBA SMD or Through Hole | TB2173FTG(O.EB).pdf | |
![]() | OPI1114 | OPI1114 TRW DIP-6 | OPI1114.pdf | |
![]() | K9F4G08U0M-IIB0(ROHS) | K9F4G08U0M-IIB0(ROHS) SAMSUNG BGA | K9F4G08U0M-IIB0(ROHS).pdf |