창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1206C159D1GACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1.5pF | |
허용 오차 | ±0.5pF | |
전압 - 정격 | 100V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | C1206C159D1GAC C1206C159D1GAC7800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1206C159D1GACTU | |
관련 링크 | C1206C159, C1206C159D1GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | DSC1124AL2-100.0000T | 100MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124AL2-100.0000T.pdf | |
![]() | MBR540MFST1G | DIODE SCHOTTKY 40V 5A 5DFN | MBR540MFST1G.pdf | |
![]() | ERJ-L12UJ40MU | RES SMD 0.04 OHM 5% 1/2W 1812 | ERJ-L12UJ40MU.pdf | |
![]() | AD584JH/+ | AD584JH/+ AD CAN8 | AD584JH/+.pdf | |
![]() | 334/AC275V | 334/AC275V DAIN TANTA SMD or Through Hole | 334/AC275V.pdf | |
![]() | F9001DC | F9001DC FSC CDIP | F9001DC.pdf | |
![]() | TE28F016SV-65 | TE28F016SV-65 INTEL TSOP56 | TE28F016SV-65.pdf | |
![]() | TA13520 | TA13520 HARRIS DIP-18 | TA13520.pdf | |
![]() | K9K4G08U0M-YCB000 | K9K4G08U0M-YCB000 Samsung SMD or Through Hole | K9K4G08U0M-YCB000.pdf | |
![]() | PBY321611T-101Y-N | PBY321611T-101Y-N chilisin SMD | PBY321611T-101Y-N.pdf | |
![]() | KCF1N5804 | KCF1N5804 MICROSEMI SMD | KCF1N5804.pdf | |
![]() | LBVPJ | LBVPJ N/A QFN | LBVPJ.pdf |