창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1206C152J1GALTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | L | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1500pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.043"(1.10mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | C1206C152J1GAL C1206C152J1GAL7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1206C152J1GALTU | |
| 관련 링크 | C1206C152, C1206C152J1GALTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38433CST | 38.4MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38433CST.pdf | |
![]() | CRCW2010150KJNEF | RES SMD 150K OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW2010150KJNEF.pdf | |
![]() | 190D | 190D NO DFN-10 | 190D.pdf | |
![]() | MN52B6CE. | MN52B6CE. PANASONIC QFP-48 | MN52B6CE..pdf | |
![]() | NTR1GP02T1G | NTR1GP02T1G ON SOT-23-3 | NTR1GP02T1G.pdf | |
![]() | 525570490 | 525570490 MOLEX SMD or Through Hole | 525570490.pdf | |
![]() | ASM3403 | ASM3403 ASemi SOT23-3 | ASM3403.pdf | |
![]() | H8ACSOPGOABR-46M | H8ACSOPGOABR-46M HYNIX BGA | H8ACSOPGOABR-46M.pdf | |
![]() | HM6167H70 | HM6167H70 hit SMD or Through Hole | HM6167H70.pdf | |
![]() | HGTD8P50G1 | HGTD8P50G1 INTERSIL SMD or Through Hole | HGTD8P50G1.pdf | |
![]() | PT7M1233-5NBE | PT7M1233-5NBE PERICOM TO92 | PT7M1233-5NBE.pdf | |
![]() | GME-0.01A | GME-0.01A Conquer SMD or Through Hole | GME-0.01A.pdf |