창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1206C109C5GACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2140 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 399-1178-2 C1206C109C5GAC C1206C109C5GAC7800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1206C109C5GACTU | |
관련 링크 | C1206C109, C1206C109C5GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
![]() | 7M26000019 | 26MHz ±10ppm 수정 12pF -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M26000019.pdf | |
![]() | SIT3808AI-2-33EY | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Enable/Disable | SIT3808AI-2-33EY.pdf | |
![]() | 744774156 | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 770mA 420 mOhm Max Nonstandard | 744774156.pdf | |
![]() | RJ3-100V330MH3PBFREE | RJ3-100V330MH3PBFREE ELNAAMERICAINC SMD or Through Hole | RJ3-100V330MH3PBFREE.pdf | |
![]() | CNX3017 | CNX3017 INGENICO SMD or Through Hole | CNX3017.pdf | |
![]() | 262LY-182K | 262LY-182K TOYO DIP | 262LY-182K.pdf | |
![]() | 74HC240PW | 74HC240PW NXP SMD or Through Hole | 74HC240PW.pdf | |
![]() | ATC1117-11 | ATC1117-11 TI TO-220 | ATC1117-11.pdf | |
![]() | M34282M1-623GP | M34282M1-623GP RENESAS TSSOP-20 | M34282M1-623GP.pdf | |
![]() | CIL21Y100KNC | CIL21Y100KNC Samsung SMD or Through Hole | CIL21Y100KNC.pdf | |
![]() | D162CB12B | D162CB12B AMD BGA | D162CB12B.pdf | |
![]() | KM68V1000BLGE-10 | KM68V1000BLGE-10 SAMSUNG SOP-32 | KM68V1000BLGE-10.pdf |