창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1005X7S0J105K050BC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C1005X7S0J105K050BC Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 6.3V | |
온도 계수 | X7S | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-9113-2 C1005X7S0J105K C1005X7S0J105KT000E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1005X7S0J105K050BC | |
관련 링크 | C1005X7S0J1, C1005X7S0J105K050BC 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 12TQ200 | DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AC | 12TQ200.pdf | |
![]() | RPC1206JT51K0 | RES SMD 51K OHM 5% 1/3W 1206 | RPC1206JT51K0.pdf | |
![]() | C17724 | C17724 AMI PLCC68 | C17724.pdf | |
![]() | 200HFR80MSV | 200HFR80MSV IR STUD | 200HFR80MSV.pdf | |
![]() | 1446A | 1446A ORIGINAL DIP8 | 1446A.pdf | |
![]() | DA108ERW | DA108ERW ORIGINAL SIP | DA108ERW.pdf | |
![]() | GM62FP-18 | GM62FP-18 GTM SOT-89 | GM62FP-18.pdf | |
![]() | DF13-10S-1.25C(16) | DF13-10S-1.25C(16) HRS SMD or Through Hole | DF13-10S-1.25C(16).pdf | |
![]() | RN1601 / XA | RN1601 / XA TOSHIBA SOT-163 | RN1601 / XA.pdf | |
![]() | L7A0902NEC | L7A0902NEC LSI PQFP | L7A0902NEC.pdf | |
![]() | 4X1 | 4X1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4X1.pdf |