창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1005X5R1E334K050BB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C1005X5R1E334K050BB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.33µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-8018-2 C1005X5R1E334K C1005X5R1E334K050BC C1005X5R1E334KT000F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1005X5R1E334K050BB | |
관련 링크 | C1005X5R1E3, C1005X5R1E334K050BB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
VJ0603D330MXCAP | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D330MXCAP.pdf | ||
7M26000038 | 26MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M26000038.pdf | ||
MLX91204KDC-ABA-003-RE | IC HALL SENSOR 2AXIS ROT 8SOIC | MLX91204KDC-ABA-003-RE.pdf | ||
PZT2907T1G | PZT2907T1G ON SOT-223 | PZT2907T1G.pdf | ||
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NL322522T-J | NL322522T-J TDK SMD or Through Hole | NL322522T-J.pdf | ||
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R5F64611KFP | R5F64611KFP RENESAS SMD or Through Hole | R5F64611KFP.pdf | ||
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DN-FAP20V-DVB3 | DN-FAP20V-DVB3 DUNE BGA | DN-FAP20V-DVB3.pdf | ||
01005C-56PF | 01005C-56PF samsung SMD or Through Hole | 01005C-56PF.pdf |