창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1005X5R0J155K050BB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C1005X5R0J155K050BB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1.5µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 6.3V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-13815-2 C1005X5R0J155KTJ00F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C1005X5R0J155K050BB | |
관련 링크 | C1005X5R0J1, C1005X5R0J155K050BB 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
CW02BR1500JE70 | RES 0.15 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02BR1500JE70.pdf | ||
BJ:NF | BJ:NF NEC NF 23 | BJ:NF.pdf | ||
220VB13A2 | 220VB13A2 ORIGINAL ORIGINAL | 220VB13A2.pdf | ||
K6R4016C1D-KC10 | K6R4016C1D-KC10 SAMSUNG TSOP44 | K6R4016C1D-KC10.pdf | ||
LB1838JM | LB1838JM SANYO MFP14S | LB1838JM.pdf | ||
SG-615PCG8.000000MHZC | SG-615PCG8.000000MHZC EPSON SOP4 | SG-615PCG8.000000MHZC.pdf | ||
L6926-013TR | L6926-013TR ST SMD or Through Hole | L6926-013TR.pdf | ||
SMQ315VS221M22X30T2 | SMQ315VS221M22X30T2 UMITEDCHEMI-CON DIP | SMQ315VS221M22X30T2.pdf | ||
FS1.2M | FS1.2M FS SMD or Through Hole | FS1.2M.pdf | ||
XPIF-300BA3C-E | XPIF-300BA3C-E MMC BGA | XPIF-300BA3C-E.pdf | ||
D509S18T | D509S18T EUPEC MODULE | D509S18T.pdf | ||
HMP-062 | HMP-062 POWER SMD or Through Hole | HMP-062.pdf |