창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1005C0G1H3R3B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | C Series, General Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, Gen Appl Spec | |
| 비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2174 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 3.3pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 445-4871-2 C1005C0G1H3R3BT000F C1005COG1H3R3B | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1005C0G1H3R3B | |
| 관련 링크 | C1005C0G, C1005C0G1H3R3B 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | H8681KBZA | RES 681K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8681KBZA.pdf | |
![]() | CXA1180N-T3 | CXA1180N-T3 ORIGINAL SMD or Through Hole | CXA1180N-T3.pdf | |
![]() | REG113EA-3 TEL:82766440 | REG113EA-3 TEL:82766440 TI/BB MSOP8 | REG113EA-3 TEL:82766440.pdf | |
![]() | CX84200-11P | CX84200-11P CONEXANT QFP208 | CX84200-11P.pdf | |
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![]() | MTZJ3.9B-T77 | MTZJ3.9B-T77 ROHM SMD or Through Hole | MTZJ3.9B-T77.pdf | |
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![]() | 803PA180 | 803PA180 IR SMD or Through Hole | 803PA180.pdf | |
![]() | TSUM18PWR-LF | TSUM18PWR-LF MSTARA 64 LQFP | TSUM18PWR-LF.pdf | |
![]() | K5J6332CBM-D770 | K5J6332CBM-D770 Samsung BGA | K5J6332CBM-D770.pdf | |
![]() | WP7104SURC/E | WP7104SURC/E KBR SMD or Through Hole | WP7104SURC/E.pdf |