창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0805C823K1RALTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | L | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.082µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.043"(1.10mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | C0805C823K1RAL C0805C823K1RAL7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0805C823K1RALTU | |
| 관련 링크 | C0805C823, C0805C823K1RALTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 416F270X3ATR | 27MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270X3ATR.pdf | |
![]() | TZX10B-TR | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | TZX10B-TR.pdf | |
![]() | 216DCJEAFA22E M6-C16h | 216DCJEAFA22E M6-C16h ATI BGA | 216DCJEAFA22E M6-C16h.pdf | |
![]() | LM4040AIM3-2.0 NOPB | LM4040AIM3-2.0 NOPB NSC SOT23 | LM4040AIM3-2.0 NOPB.pdf | |
![]() | CLA65023AW | CLA65023AW MT PGA | CLA65023AW.pdf | |
![]() | 0078J0637 | 0078J0637 N/A QFN | 0078J0637.pdf | |
![]() | AD8131ARM TEL:82766440 | AD8131ARM TEL:82766440 AD SMD or Through Hole | AD8131ARM TEL:82766440.pdf | |
![]() | 7276R2K | 7276R2K BI SMD or Through Hole | 7276R2K.pdf | |
![]() | E28F001BXT-120 | E28F001BXT-120 INTEL TSOP32 | E28F001BXT-120.pdf | |
![]() | BYW51-100CT | BYW51-100CT NA TO-220 | BYW51-100CT.pdf | |
![]() | SN65HVD12IDREP(V12IEP) | SN65HVD12IDREP(V12IEP) TI SOP8 | SN65HVD12IDREP(V12IEP).pdf | |
![]() | M38510/11201BCA | M38510/11201BCA NSC SMD or Through Hole | M38510/11201BCA.pdf |