창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0805C104J5RACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2140 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.10µF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 399-1171-2 C0805C104J5RAC C0805C104J5RAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0805C104J5RACTU | |
| 관련 링크 | C0805C104, C0805C104J5RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 407T39E050M0000 | 50MHz ±30ppm 수정 20pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407T39E050M0000.pdf | |
![]() | G6K-2P-Y DC3 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6K-2P-Y DC3.pdf | |
![]() | RM2012B-102/203-PBVW10 | RES ARRAY 2 RES MULT OHM 0805 | RM2012B-102/203-PBVW10.pdf | |
![]() | RSF2JB200R | RES MO 2W 200 OHM 5% AXIAL | RSF2JB200R.pdf | |
![]() | 20J450E | RES 450 OHM 10W 5% AXIAL | 20J450E.pdf | |
![]() | HM62726 | HM62726 UTC DIP | HM62726.pdf | |
![]() | HH-T1301 | HH-T1301 ORIGINAL SMD or Through Hole | HH-T1301.pdf | |
![]() | UA2-24SNJ | UA2-24SNJ NEC SMD or Through Hole | UA2-24SNJ.pdf | |
![]() | BA7807T | BA7807T ROHM TO220F | BA7807T.pdf | |
![]() | AM4GB079X | AM4GB079X ALPHA DICE | AM4GB079X.pdf | |
![]() | HM65V8512LFP-15V | HM65V8512LFP-15V ORIGINAL SOP | HM65V8512LFP-15V.pdf | |
![]() | GO7900-GSHN-A2 | GO7900-GSHN-A2 NVIDIA BGA | GO7900-GSHN-A2.pdf |