창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0805C102K3RACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1000pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | C0805C102K3RAC C0805C102K3RAC7800 C0805C102K3RAC7867 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0805C102K3RACTU | |
| 관련 링크 | C0805C102, C0805C102K3RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | 402F27012ILT | 27MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27012ILT.pdf | |
![]() | SIT8008BC-12-18S-72.000000D | OSC XO 1.8V 72MHZ ST | SIT8008BC-12-18S-72.000000D.pdf | |
![]() | ASTMUPCE-33-7.3728MHZ-LY-E-T3 | 7.3728MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-7.3728MHZ-LY-E-T3.pdf | |
![]() | TNPW120693R1BEEA | RES SMD 93.1 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120693R1BEEA.pdf | |
![]() | CRCW25122R15FKEGHP | RES SMD 2.15 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW25122R15FKEGHP.pdf | |
![]() | CRCW0805143KFKTA | RES SMD 143K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805143KFKTA.pdf | |
![]() | D1418AGC | D1418AGC NEC SMD | D1418AGC.pdf | |
![]() | CD4511BEE4 | CD4511BEE4 TI DIP16 | CD4511BEE4.pdf | |
![]() | UPD4519BC | UPD4519BC NEC DIP | UPD4519BC.pdf | |
![]() | DD241S12K-K | DD241S12K-K ORIGINAL SMD or Through Hole | DD241S12K-K.pdf | |
![]() | TVB360RSC-L | TVB360RSC-L Raychem DO-214AA | TVB360RSC-L.pdf | |
![]() | VSC7250HL-34 | VSC7250HL-34 VITESSE BGA | VSC7250HL-34.pdf |