창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0603C820J2GACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 82pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 200V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.034"(0.87mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 399-10056-2 C0603C820J2GAC C0603C820J2GAC7867 C0603C820J2GACTU-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0603C820J2GACTU | |
관련 링크 | C0603C820, C0603C820J2GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
RG1608N-2100-W-T1 | RES SMD 210 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-2100-W-T1.pdf | ||
3450RC 80040540 | CERAMIC MANUAL RESET THERMOSTAT | 3450RC 80040540.pdf | ||
6-87499-9 | 6-87499-9 AMP SMD or Through Hole | 6-87499-9.pdf | ||
RA3-35V221MH3 | RA3-35V221MH3 ELNA DIP | RA3-35V221MH3.pdf | ||
FXA2G822Y | FXA2G822Y HIT DIP | FXA2G822Y.pdf | ||
PMB6250RV2.1 | PMB6250RV2.1 Infineon QFP | PMB6250RV2.1.pdf | ||
XC5204TMPQ160 | XC5204TMPQ160 XILINX QFP | XC5204TMPQ160.pdf | ||
L64827QC | L64827QC LSI PQFP | L64827QC.pdf | ||
BTA100-1000B | BTA100-1000B ST TO- | BTA100-1000B.pdf | ||
3C1840DC4SKT1 | 3C1840DC4SKT1 SAMSUNG SOP | 3C1840DC4SKT1.pdf | ||
MLF322522T-470J | MLF322522T-470J TDK 3225 | MLF322522T-470J.pdf | ||
IRF101EPBF | IRF101EPBF IR SMD or Through Hole | IRF101EPBF.pdf |