창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0603C271G3GACTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Ceramic Chip | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 270pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.034"(0.87mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | C0603C271G3GAC C0603C271G3GAC7867 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0603C271G3GACTU | |
관련 링크 | C0603C271, C0603C271G3GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 |
VJ0805D2R1DLAAP | 2.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R1DLAAP.pdf | ||
GI1404HE3/45 | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | GI1404HE3/45.pdf | ||
RBV8A | RBV8A EIC SMD or Through Hole | RBV8A.pdf | ||
18CV8S | 18CV8S ICT SOP | 18CV8S.pdf | ||
GS-R415 | GS-R415 ST SMD or Through Hole | GS-R415.pdf | ||
SLF1255T-102M-N | SLF1255T-102M-N YAGEO SMD | SLF1255T-102M-N.pdf | ||
HDL4M1JMTG103-00 | HDL4M1JMTG103-00 HITACHI BGA | HDL4M1JMTG103-00.pdf | ||
RD9165 | RD9165 ORIGINAL DIP-16 | RD9165.pdf | ||
D16066FN | D16066FN ORIGINAL PLCC | D16066FN.pdf | ||
300W DC to AC | 300W DC to AC ORIGINAL SMD or Through Hole | 300W DC to AC.pdf | ||
54F08/BDAJC883 | 54F08/BDAJC883 MOT CFP-14 | 54F08/BDAJC883.pdf | ||
TEMSVB20G226M8R | TEMSVB20G226M8R NEC ChipTantalumCapaci | TEMSVB20G226M8R.pdf |