창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0603C0G1E510G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, General Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, Gen Appl Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 51pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 445-7245-2 C0603C0G1E510GT00NN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0603C0G1E510G | |
관련 링크 | C0603C0G, C0603C0G1E510G 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
ECS-300-18-33Q-DS | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-300-18-33Q-DS.pdf | ||
![]() | LP060F33CDT | 60MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP060F33CDT.pdf | |
![]() | ERO-S2PHF9101 | RES 9.1K OHM 1/4W 1% AXIAL | ERO-S2PHF9101.pdf | |
![]() | CMF65270R00FKR6 | RES 270 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65270R00FKR6.pdf | |
![]() | 40471 | 40471 ORIGINAL SMD or Through Hole | 40471.pdf | |
![]() | Z86L0208SSCR511R | Z86L0208SSCR511R ZILOG SOP | Z86L0208SSCR511R.pdf | |
![]() | K4T56163QI-ZCE7000 | K4T56163QI-ZCE7000 SAMSUNG BGA84 | K4T56163QI-ZCE7000.pdf | |
![]() | SDCFBI96101 | SDCFBI96101 Sandisk SOP | SDCFBI96101.pdf | |
![]() | EPB5128G | EPB5128G PCA SMD or Through Hole | EPB5128G.pdf | |
![]() | ISL9V3036D3ST | ISL9V3036D3ST FAIRCHILD TO-252 | ISL9V3036D3ST.pdf | |
![]() | Q22MA5061003000 | Q22MA5061003000 EPSON SMD or Through Hole | Q22MA5061003000.pdf | |
![]() | ADS8480IRGZRG4 | ADS8480IRGZRG4 TI QFN48 | ADS8480IRGZRG4.pdf |