창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0603C0G1E2R9C030BG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, High Q C Series, High Q Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 단종/ EOL | C0603C0G1E Series 19/Feb/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2.9pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 445-13607-2 C0603C0G1E2R9CTX0NN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0603C0G1E2R9C030BG | |
관련 링크 | C0603C0G1E2, C0603C0G1E2R9C030BG 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | H28 | H28 N/A NA | H28.pdf | |
![]() | PT7M7810T | PT7M7810T pti-ic SOT23 | PT7M7810T.pdf | |
![]() | EP1S20F672C6 | EP1S20F672C6 ALTERA SMD or Through Hole | EP1S20F672C6.pdf | |
![]() | 3-382396-7 | 3-382396-7 AMP SMD or Through Hole | 3-382396-7.pdf | |
![]() | SFMH-135-02-L-D-LC | SFMH-135-02-L-D-LC Samtec SMD or Through Hole | SFMH-135-02-L-D-LC.pdf | |
![]() | HH80563QH0258M S LAEM | HH80563QH0258M S LAEM Intel SMD or Through Hole | HH80563QH0258M S LAEM.pdf | |
![]() | MP1254 | MP1254 MPS QFN | MP1254.pdf | |
![]() | 10FA220M | 10FA220M NIPPON DIP | 10FA220M.pdf | |
![]() | LB11696V-TLM-E | LB11696V-TLM-E SANYO TSSOP | LB11696V-TLM-E.pdf | |
![]() | 1W-120UH | 1W-120UH LY DIP | 1W-120UH.pdf | |
![]() | RD48F4444PPVBQ0 | RD48F4444PPVBQ0 NUMONYX BGA | RD48F4444PPVBQ0.pdf | |
![]() | FJM38510/101020IA | FJM38510/101020IA FAI CAN | FJM38510/101020IA.pdf |