창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0402C399C5GACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 3.9pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 399-7793-2 C0402C399C5GAC C0402C399C5GAC7867 C0402C399C5GACTU-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0402C399C5GACTU | |
| 관련 링크 | C0402C399, C0402C399C5GACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
| UVP1C222MHD | 2200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVP1C222MHD.pdf | ||
![]() | D1213A-01W-7 | TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOT323 | D1213A-01W-7.pdf | |
![]() | IRFD9014PBF | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP | IRFD9014PBF.pdf | |
![]() | RG1608N-3241-D-T5 | RES SMD 3.24KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-3241-D-T5.pdf | |
![]() | PXV1220S-2DBN4-T | RF Attenuator 2dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-2DBN4-T.pdf | |
![]() | NN5118165BJ60 | NN5118165BJ60 NPNX SMD or Through Hole | NN5118165BJ60.pdf | |
![]() | TCTOAL1A336M8R | TCTOAL1A336M8R ROHM 3216 | TCTOAL1A336M8R.pdf | |
![]() | M2Y1G64TU8HB0B-25C | M2Y1G64TU8HB0B-25C SAMSUNG BGA | M2Y1G64TU8HB0B-25C.pdf | |
![]() | ECJNB0J475M0603-475M | ECJNB0J475M0603-475M ORIGINAL SMD or Through Hole | ECJNB0J475M0603-475M.pdf | |
![]() | HP2731 (HP2731) | HP2731 (HP2731) AGILENT DIP-8 | HP2731 (HP2731).pdf | |
![]() | 821286 | 821286 XBOX SOP-8 | 821286.pdf |