창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0402C101F8GALTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | L | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 100pF | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전압 - 정격 | 10V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | C0402C101F8GAL C0402C101F8GAL7867 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0402C101F8GALTU | |
| 관련 링크 | C0402C101, C0402C101F8GALTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | C0402C390F3GACTU | 39pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C390F3GACTU.pdf | |
![]() | MURS240-E3/5BT | DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA | MURS240-E3/5BT.pdf | |
![]() | TZX4V3A-TR | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 | TZX4V3A-TR.pdf | |
![]() | HZU3.0B1TRF | HZU3.0B1TRF HITACHI 0805-3V | HZU3.0B1TRF.pdf | |
![]() | SSI201P | SSI201P SILICON DIP22 | SSI201P.pdf | |
![]() | UPD71059 | UPD71059 NEC DIP-28 | UPD71059.pdf | |
![]() | RB085TP60 | RB085TP60 ROHM TO-220 | RB085TP60.pdf | |
![]() | TC55NEM216ASGV70 | TC55NEM216ASGV70 TOSH SMD or Through Hole | TC55NEM216ASGV70.pdf | |
![]() | 201-1CC-F-S-24VDC | 201-1CC-F-S-24VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 201-1CC-F-S-24VDC.pdf | |
![]() | DRBD053MD10R730BUMHT | DRBD053MD10R730BUMHT MURATA SMD or Through Hole | DRBD053MD10R730BUMHT.pdf | |
![]() | ISL21010CFH333Z-TK | ISL21010CFH333Z-TK ORIGINAL SOT23-3P | ISL21010CFH333Z-TK.pdf | |
![]() | HVC190KRF-E | HVC190KRF-E RENESAS SOD723 | HVC190KRF-E.pdf |