창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0402C0G1C1R2B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | C Series, General Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, Gen Appl Spec | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1.2pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 01005(0402 미터법) | |
크기/치수 | 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.009"(0.22mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 20,000 | |
다른 이름 | 445-5413-2 C0402C0G1C1R2BT00NN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | C0402C0G1C1R2B | |
관련 링크 | C0402C0G, C0402C0G1C1R2B 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
RT1N441U | RT1N441U ORIGINAL SMD or Through Hole | RT1N441U.pdf | ||
SMU10P06 | SMU10P06 SIX TO-251 | SMU10P06.pdf | ||
PCD50923H/C51/3 | PCD50923H/C51/3 PHILIPS TQFP 80 | PCD50923H/C51/3.pdf | ||
VJ0805Y822JXBMS 0805-822J 100V B | VJ0805Y822JXBMS 0805-822J 100V B VISHAY SMD or Through Hole | VJ0805Y822JXBMS 0805-822J 100V B.pdf | ||
H1102T(22.0260.01) | H1102T(22.0260.01) ORIGINAL SMD or Through Hole | H1102T(22.0260.01).pdf | ||
HYMP512S64CP8-Y5-T (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI | HYMP512S64CP8-Y5-T (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI Hynix SMD or Through Hole | HYMP512S64CP8-Y5-T (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI.pdf | ||
K4Q160411C-FC60 | K4Q160411C-FC60 SAMSUNG TSOP | K4Q160411C-FC60.pdf | ||
NKS5NAD1-19.2000-18(T) | NKS5NAD1-19.2000-18(T) SARONIX ORIGINAL | NKS5NAD1-19.2000-18(T).pdf | ||
EMVY101ADA101MKEOG | EMVY101ADA101MKEOG ORIGINAL SMD or Through Hole | EMVY101ADA101MKEOG.pdf | ||
JTOS-1550 | JTOS-1550 MINI NA | JTOS-1550.pdf | ||
8WA18JW244 | 8WA18JW244 MT SMD or Through Hole | 8WA18JW244.pdf | ||
NE5553N | NE5553N PHI/S DIP 16 | NE5553N.pdf |