창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX85C6V2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX85C3V3 - C56 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX85C6V2 | |
관련 링크 | BZX85, BZX85C6V2 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A102KBCAT4X | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A102KBCAT4X.pdf | |
![]() | S2C7565X84-C0C5 | S2C7565X84-C0C5 SAMSUNG SMD or Through Hole | S2C7565X84-C0C5.pdf | |
![]() | TNR15G181K | TNR15G181K ORIGINAL DIP | TNR15G181K.pdf | |
![]() | 3065/15 | 3065/15 BB NA | 3065/15.pdf | |
![]() | CPT40040 | CPT40040 MSC SMD or Through Hole | CPT40040.pdf | |
![]() | SC933 | SC933 SC SMD or Through Hole | SC933.pdf | |
![]() | C407-510582-A | C407-510582-A WHAYU SMD or Through Hole | C407-510582-A.pdf | |
![]() | ISL8308OEIBZ | ISL8308OEIBZ Intersil SMD or Through Hole | ISL8308OEIBZ.pdf | |
![]() | MAX8752ETA+T | MAX8752ETA+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX8752ETA+T.pdf | |
![]() | PVM4A503D01R00 | PVM4A503D01R00 MURATA SMD or Through Hole | PVM4A503D01R00.pdf | |
![]() | K6F2016U4E-EF70T00 | K6F2016U4E-EF70T00 SAMSUNG TSOP | K6F2016U4E-EF70T00.pdf |