창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX85C4V3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX85C3V3 - C56 | |
| 카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX85C4V3 | |
| 관련 링크 | BZX85, BZX85C4V3 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 402F30011CKT | 30MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30011CKT.pdf | |
![]() | SIT8008AI-13-XXE-25.000000E | OSC XO 25MHZ OE | SIT8008AI-13-XXE-25.000000E.pdf | |
![]() | PLTT0805Z1502AGT5 | RES SMD 15K OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z1502AGT5.pdf | |
![]() | CP00103R000JE66 | RES 3 OHM 10W 5% AXIAL | CP00103R000JE66.pdf | |
![]() | 485ERX | 485ERX ST SOP8 | 485ERX.pdf | |
![]() | BAP50-05,215 | BAP50-05,215 NXP SMD or Through Hole | BAP50-05,215.pdf | |
![]() | ZPSD211RB-15J | ZPSD211RB-15J ST SMD or Through Hole | ZPSD211RB-15J.pdf | |
![]() | ASM161LCUS | ASM161LCUS ALLIANCE SOT143 | ASM161LCUS.pdf | |
![]() | 504550003602+1 | 504550003602+1 NEC QFP | 504550003602+1.pdf | |
![]() | EFG71891PD1 | EFG71891PD1 ST DIP-8 | EFG71891PD1.pdf | |
![]() | CRCW2010102JRT1 | CRCW2010102JRT1 VI SMD or Through Hole | CRCW2010102JRT1.pdf | |
![]() | RC0402JR-0710M(Phycomp) | RC0402JR-0710M(Phycomp) ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402JR-0710M(Phycomp).pdf |