창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX85C36-TAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX85 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 27V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX85C36-TAP | |
| 관련 링크 | BZX85C3, BZX85C36-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | KBU8G | DIODE BRIDGE 400V 8A KBU | KBU8G.pdf | |
![]() | IHLP6767GZER6R8M01 | 6.8µH Shielded Molded Inductor 19A 8.83 mOhm Max Nonstandard | IHLP6767GZER6R8M01.pdf | |
![]() | 3RT1015-1AD02 | 3RT1015-1AD02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3RT1015-1AD02.pdf | |
![]() | P6553AZPH G1 | P6553AZPH G1 TI BGA | P6553AZPH G1.pdf | |
![]() | 2SK2862,2S | 2SK2862,2S TOS SMD or Through Hole | 2SK2862,2S.pdf | |
![]() | USB 4GB SRGWHITE/THNU28L00PHA0 | USB 4GB SRGWHITE/THNU28L00PHA0 TOSHIBA SMD or Through Hole | USB 4GB SRGWHITE/THNU28L00PHA0.pdf | |
![]() | TAJC476K006R | TAJC476K006R AVX SMD or Through Hole | TAJC476K006R.pdf | |
![]() | 05711R888880066CXXX | 05711R888880066CXXX RENA SMD or Through Hole | 05711R888880066CXXX.pdf | |
![]() | STS2301S.. | STS2301S.. SAMHOP SMD or Through Hole | STS2301S...pdf | |
![]() | NJM8008B | NJM8008B JRC SOP | NJM8008B.pdf | |
![]() | L2A033 | L2A033 LSI QFP | L2A033.pdf | |
![]() | GPM13B03-005 | GPM13B03-005 SAMSUNG SMD or Through Hole | GPM13B03-005.pdf |