창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX85C12_T50R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX85C3V3 - C56 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 8.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX85C12_T50R-ND BZX85C12_T50RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX85C12_T50R | |
관련 링크 | BZX85C1, BZX85C12_T50R 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 7010.7160.13 | FUSE BRD MNT 12A 32VAC/VDC AXIAL | 7010.7160.13.pdf | |
![]() | HIT8550C-E-Q | HIT8550C-E-Q HITACHI/RENESAS SMD or Through Hole | HIT8550C-E-Q.pdf | |
![]() | LM2574N-3.3 P+ | LM2574N-3.3 P+ NS DIP-8 | LM2574N-3.3 P+.pdf | |
![]() | KS88C0016Q-01 | KS88C0016Q-01 SAMSUNG QFP | KS88C0016Q-01.pdf | |
![]() | RJ4-50VR33ME3 | RJ4-50VR33ME3 ELNA DIP | RJ4-50VR33ME3.pdf | |
![]() | RN4B2AY104J | RN4B2AY104J TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | RN4B2AY104J.pdf | |
![]() | WM8739SEDS/V | WM8739SEDS/V WOLFSON SSOP20 | WM8739SEDS/V.pdf | |
![]() | H6=BK | H6=BK ORIGINAL QFN | H6=BK.pdf | |
![]() | LTC4068EDD-4.2 TR | LTC4068EDD-4.2 TR LT SMD or Through Hole | LTC4068EDD-4.2 TR.pdf | |
![]() | AXT316124AW1 | AXT316124AW1 NAIS SMD or Through Hole | AXT316124AW1.pdf | |
![]() | LT1268#PBF | LT1268#PBF ORIGINAL TO-220-5 | LT1268#PBF.pdf | |
![]() | PE-65263NL | PE-65263NL PULSE DIP16 | PE-65263NL.pdf |