창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX85B30-TAP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX85 Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 22V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX85B30-TAP | |
| 관련 링크 | BZX85B3, BZX85B30-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RMCF1206JT8R20 | RES SMD 8.2 OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT8R20.pdf | |
![]() | CP0603A1960MNTR | CP0603A1960MNTR AVX SMD or Through Hole | CP0603A1960MNTR.pdf | |
![]() | MB8287PF-G-BND | MB8287PF-G-BND FUJITSU SOP | MB8287PF-G-BND.pdf | |
![]() | NLNSE70129D-200 | NLNSE70129D-200 NL BGA | NLNSE70129D-200.pdf | |
![]() | LQH3C220K34M | LQH3C220K34M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH3C220K34M.pdf | |
![]() | 6R1016C1D-JC10 | 6R1016C1D-JC10 SAMSUNG SOJ | 6R1016C1D-JC10.pdf | |
![]() | C0603NPO102J50V | C0603NPO102J50V YAGEO SMD or Through Hole | C0603NPO102J50V.pdf | |
![]() | C1005C-27NG-RF | C1005C-27NG-RF SAGAMI 04022K | C1005C-27NG-RF.pdf | |
![]() | 16202552 | 16202552 DELCO PLCC52 | 16202552.pdf | |
![]() | FDG6320C(20*) | FDG6320C(20*) FSC SOT363 | FDG6320C(20*).pdf | |
![]() | AP432N-A | AP432N-A APEC MOSFET | AP432N-A.pdf | |
![]() | CN2B8TTE J 474 | CN2B8TTE J 474 KOA 8P16R | CN2B8TTE J 474.pdf |