창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-C62,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84J Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 550mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 140옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 43.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934061014115 BZX84J-C62 T/R BZX84J-C62 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84J-C62,115 | |
관련 링크 | BZX84J-C, BZX84J-C62,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | TAP600KR50E | RES CHAS MNT 0.5 OHM 10% 600W | TAP600KR50E.pdf | |
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![]() | CRA06P043360RJTA | RES ARRAY 2 RES 360 OHM 0606 | CRA06P043360RJTA.pdf | |
![]() | CMF655R1100FKR6 | RES 5.11 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF655R1100FKR6.pdf | |
![]() | IRFIZ34 | IRFIZ34 IR SMD or Through Hole | IRFIZ34.pdf | |
![]() | LM117E/883QS 77034052A | LM117E/883QS 77034052A NS LLCC | LM117E/883QS 77034052A.pdf | |
![]() | MN4071BS | MN4071BS ORIGINAL SOP | MN4071BS.pdf | |
![]() | 8432CY-11 | 8432CY-11 IDT SMD or Through Hole | 8432CY-11.pdf | |
![]() | UR132G | UR132G UTC SOT23 | UR132G.pdf | |
![]() | DB155-BP | DB155-BP ORIGINAL RB-15 | DB155-BP.pdf | |
![]() | VT6410 CD | VT6410 CD VIA QFP | VT6410 CD.pdf | |
![]() | D2150 T100Q | D2150 T100Q ROHM SOT-89 | D2150 T100Q.pdf |