창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-C3V9,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84J Series | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 550mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-8076-2 934061004115 BZX84J-C3V9 T/R BZX84J-C3V9 T/R-ND BZX84J-C3V9,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84J-C3V9,115 | |
관련 링크 | BZX84J-C3, BZX84J-C3V9,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | IMC1210ERR10J | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 440 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ERR10J.pdf | |
![]() | LT6656ACDC-5#PBF/BC | LT6656ACDC-5#PBF/BC LT DFN | LT6656ACDC-5#PBF/BC.pdf | |
![]() | SDC632L-3 | SDC632L-3 ADI DIP23 | SDC632L-3.pdf | |
![]() | FEE4E16180050R101JT | FEE4E16180050R101JT Nichtek SMD | FEE4E16180050R101JT.pdf | |
![]() | SPCA536B-H | SPCA536B-H GCATCH BGA | SPCA536B-H.pdf | |
![]() | IRLR2705TRR(94-2315) | IRLR2705TRR(94-2315) IR SMD or Through Hole | IRLR2705TRR(94-2315).pdf | |
![]() | MMBD4148CA SOT23-DG | MMBD4148CA SOT23-DG FAIRCHILD SMD or Through Hole | MMBD4148CA SOT23-DG.pdf | |
![]() | T391B156K003AS | T391B156K003AS KEMET DIP | T391B156K003AS.pdf | |
![]() | NTE985 | NTE985 NTE DIP16 | NTE985.pdf | |
![]() | ST073C08CFF | ST073C08CFF IR module | ST073C08CFF.pdf | |
![]() | LT6100IMS8 TEL:82766440 | LT6100IMS8 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LT6100IMS8 TEL:82766440.pdf |