창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-C36,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84J Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 550mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934060998115 BZX84J-C36 T/R BZX84J-C36 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84J-C36,115 | |
| 관련 링크 | BZX84J-C, BZX84J-C36,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | M5010064V | M SERIES POWER MODULE | M5010064V.pdf | |
![]() | S0603-271NH3S | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.2 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-271NH3S.pdf | |
![]() | RC1218FK-079R76L | RES SMD 9.76 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-079R76L.pdf | |
![]() | CMF50316K00FHEK | RES 316K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50316K00FHEK.pdf | |
![]() | SABC1610-LM | SABC1610-LM INFINEON QFP80 | SABC1610-LM.pdf | |
![]() | FZ1800R16KF4-S1 | FZ1800R16KF4-S1 ORIGINAL IGBT | FZ1800R16KF4-S1.pdf | |
![]() | BD6086GOEL | BD6086GOEL ORIGINAL SMD | BD6086GOEL.pdf | |
![]() | GDMBD3004 | GDMBD3004 GTM SOD-323 | GDMBD3004.pdf | |
![]() | SN8P2608X | SN8P2608X SONIX SOP | SN8P2608X.pdf | |
![]() | MSM80C50-315GS-2K | MSM80C50-315GS-2K OKI QFP | MSM80C50-315GS-2K.pdf | |
![]() | PAHI5012D | PAHI5012D ORIGINAL SMD or Through Hole | PAHI5012D.pdf | |
![]() | MSA2412D-2W | MSA2412D-2W MORNSUN SMD or Through Hole | MSA2412D-2W.pdf |