창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-B8V2,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84J Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 550mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934060979115 BZX84J-B8V2 T/R BZX84J-B8V2 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84J-B8V2,115 | |
| 관련 링크 | BZX84J-B8, BZX84J-B8V2,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AC-13-33EO-50.00000X | OSC XO 3.3V 50MHZ OE -0.50% | SIT9003AC-13-33EO-50.00000X.pdf | |
| CMLSH-4DO TR | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT563 | CMLSH-4DO TR.pdf | ||
![]() | GRM32RRG1H475KA01L | GRM32RRG1H475KA01L MURATA SMD | GRM32RRG1H475KA01L.pdf | |
![]() | 25FXL-RSM1-S-H | 25FXL-RSM1-S-H JST SMD or Through Hole | 25FXL-RSM1-S-H.pdf | |
![]() | JM20339-LGEZ0 | JM20339-LGEZ0 JMICRON QFP64 | JM20339-LGEZ0.pdf | |
![]() | PC68HCRC908JL3ADW | PC68HCRC908JL3ADW MOT SOP | PC68HCRC908JL3ADW.pdf | |
![]() | SN74HC02DGGR | SN74HC02DGGR ON SMD or Through Hole | SN74HC02DGGR.pdf | |
![]() | K9F1208U0M | K9F1208U0M SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1208U0M.pdf | |
![]() | SE3806-1.8 | SE3806-1.8 SE SOT23-5 | SE3806-1.8.pdf | |
![]() | AD4C211HSTR | AD4C211HSTR SSOUSA DIPSOP | AD4C211HSTR.pdf | |
![]() | TXC-02050AIPL | TXC-02050AIPL TRANSWITCH PLCC | TXC-02050AIPL.pdf |