창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-B75,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84J Series | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 550mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 175옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 52.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934060977115 BZX84J-B75 T/R BZX84J-B75 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84J-B75,115 | |
| 관련 링크 | BZX84J-B, BZX84J-B75,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | B41044A6337M | 330µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41044A6337M.pdf | |
![]() | RG3216P-1072-B-T1 | RES SMD 10.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1072-B-T1.pdf | |
![]() | ISP1183 | ISP1183 TRAY HVQFN32 | ISP1183.pdf | |
![]() | C5410 | C5410 ORIGINAL TO-3PL | C5410.pdf | |
![]() | CY7C470 | CY7C470 CYPRESS PLCC32 | CY7C470.pdf | |
![]() | BCR08AS-12A-T13 | BCR08AS-12A-T13 RENESAS/HITACHI SMD or Through Hole | BCR08AS-12A-T13.pdf | |
![]() | EPF8636AQC1 | EPF8636AQC1 ALTERA SMD or Through Hole | EPF8636AQC1.pdf | |
![]() | 4692-PA-51H-96 | 4692-PA-51H-96 Laird SMD or Through Hole | 4692-PA-51H-96.pdf | |
![]() | K4H511638M-TLB0 | K4H511638M-TLB0 SAMSUNG TSOP66 | K4H511638M-TLB0.pdf | |
![]() | TPS2811DE4 | TPS2811DE4 TI- SMD or Through Hole | TPS2811DE4.pdf | |
![]() | SY025M3300B7F-1632 | SY025M3300B7F-1632 YAGEO DIP | SY025M3300B7F-1632.pdf | |
![]() | DEMO-ATF-5X189 | DEMO-ATF-5X189 HITCHIA SMD or Through Hole | DEMO-ATF-5X189.pdf |