창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84J-B3V6,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84J Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 550mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934060961115 BZX84J-B3V6 T/R BZX84J-B3V6 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84J-B3V6,115 | |
관련 링크 | BZX84J-B3, BZX84J-B3V6,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
GRM0335C1E2R0CD01J | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E2R0CD01J.pdf | ||
SIHJ6N65E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L | SIHJ6N65E-T1-GE3.pdf | ||
RPC1206JT9M10 | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/3W 1206 | RPC1206JT9M10.pdf | ||
JS-1120-3 | JS-1120-3 RPW SIP | JS-1120-3.pdf | ||
57C51C-35TI | 57C51C-35TI WSI DIP | 57C51C-35TI.pdf | ||
TLV2761CDR | TLV2761CDR TI SOP | TLV2761CDR.pdf | ||
APA2822RC-TR | APA2822RC-TR ANPEC SOP-8 | APA2822RC-TR.pdf | ||
MAX8877-30D | MAX8877-30D PHILIPS SOT-153 | MAX8877-30D.pdf | ||
STR931RP0H6 | STR931RP0H6 STMICROELECTRONICSSEMI SMD or Through Hole | STR931RP0H6.pdf | ||
JFW100A81 | JFW100A81 TYCO SMD or Through Hole | JFW100A81.pdf | ||
SDA132B | SDA132B SSDI SMD or Through Hole | SDA132B.pdf | ||
DAC0820CCWM | DAC0820CCWM AD SOP | DAC0820CCWM.pdf |