창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1W-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C9V1W-FDITR BZX84C9V1W7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C9V1W-7-F | |
관련 링크 | BZX84C9V, BZX84C9V1W-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | C0603C0G1E120K030BA | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E120K030BA.pdf | |
![]() | VJ0805D1R4CXXAC | 1.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R4CXXAC.pdf | |
![]() | 416F300X2AKT | 30MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F300X2AKT.pdf | |
![]() | BAT42XV2 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F | BAT42XV2.pdf | |
![]() | CDBMTS1150-HF | DIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD123S | CDBMTS1150-HF.pdf | |
![]() | AA0402FR-0759KL | RES SMD 59K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-0759KL.pdf | |
![]() | RG2012P-204-W-T5 | RES SMD 200K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-204-W-T5.pdf | |
![]() | HRG3216P-6650-D-T5 | RES SMD 665 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6650-D-T5.pdf | |
![]() | A358S06TCF | A358S06TCF EUPEC MODULE | A358S06TCF.pdf | |
![]() | MX8060102G | MX8060102G MX SSOP16 | MX8060102G.pdf | |
![]() | MRY106G | MRY106G NKK DIP2-6 | MRY106G.pdf | |
![]() | TDA5763M/C1 | TDA5763M/C1 PHILIPS SSOP-24 | TDA5763M/C1.pdf |