창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C9V1SDITR BZX84C9V1STR BZX84C9V1STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C9V1S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C9, BZX84C9V1S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 5800-272-RC | 2.7mH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 6.6 Ohm Max Axial | 5800-272-RC.pdf | |
![]() | RC3216F2371CS | RES SMD 2.37K OHM 1% 1/4W 1206 | RC3216F2371CS.pdf | |
![]() | RG1608V-1051-B-T5 | RES SMD 1.05KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608V-1051-B-T5.pdf | |
![]() | JRC7222L33G01 | JRC7222L33G01 JRC TO-92 | JRC7222L33G01.pdf | |
![]() | C0402X5R224K100NT | C0402X5R224K100NT ORIGINAL 4p | C0402X5R224K100NT.pdf | |
![]() | LA3282AS1 | LA3282AS1 SANYO 15L | LA3282AS1.pdf | |
![]() | MTC20156TQ-C1 | MTC20156TQ-C1 ST QFP | MTC20156TQ-C1.pdf | |
![]() | M1-6504-5 | M1-6504-5 HARRAS CDIP18 | M1-6504-5.pdf | |
![]() | 57C010F-35DMB/883 | 57C010F-35DMB/883 WSI DIP | 57C010F-35DMB/883.pdf | |
![]() | AT28C512-15JI | AT28C512-15JI ATMEL PLCC | AT28C512-15JI.pdf | |
![]() | LQW21HNR82J00D | LQW21HNR82J00D MURATA 08052K | LQW21HNR82J00D.pdf | |
![]() | UPD3373 | UPD3373 NEC DIP | UPD3373.pdf |