창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1S-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C9V1S-FDITR BZX84C9V1S7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C9V1S-7-F | |
| 관련 링크 | BZX84C9V, BZX84C9V1S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 12105A182JAT4A | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12105A182JAT4A.pdf | |
![]() | CC2543RHMT | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 32-VFQFN Exposed Pad | CC2543RHMT.pdf | |
![]() | 9491E | 9491E MAX QFN | 9491E.pdf | |
![]() | UP6202Q | UP6202Q ORIGINAL SMD or Through Hole | UP6202Q.pdf | |
![]() | K4H510438B-GLB3 | K4H510438B-GLB3 SAMSUNG BGA60 | K4H510438B-GLB3.pdf | |
![]() | 74HC64D | 74HC64D ORIGINAL SMD | 74HC64D.pdf | |
![]() | TGB2010-50-EPU-SM | TGB2010-50-EPU-SM Triquint SMD or Through Hole | TGB2010-50-EPU-SM.pdf | |
![]() | VN770 | VN770 ST SOP-28 | VN770.pdf | |
![]() | UZM33FBT1 | UZM33FBT1 UNIZON 33V23 | UZM33FBT1.pdf | |
![]() | NJM24146BM | NJM24146BM JRC SOP8 | NJM24146BM.pdf | |
![]() | NCV850925PWR2G | NCV850925PWR2G ON SOP | NCV850925PWR2G.pdf |