창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84(B,C)xzxLT1G, SZBZX84(B,C)xzxLT1G | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C9V1LT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C9V1LT1G | |
| 관련 링크 | BZX84C9, BZX84C9V1LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B72728-A2170-S192 | B72728-A2170-S192 EPCOS 4(0603) | B72728-A2170-S192.pdf | |
![]() | ML6509CSX | ML6509CSX MICROL SOP16 | ML6509CSX.pdf | |
![]() | 2SC1099 | 2SC1099 NEC TO-3 | 2SC1099.pdf | |
![]() | 49956SOCNG493036-1 | 49956SOCNG493036-1 CY DIP | 49956SOCNG493036-1.pdf | |
![]() | ULA6DSA036Q1 | ULA6DSA036Q1 GPS PLCC28 | ULA6DSA036Q1.pdf | |
![]() | RURD3020 | RURD3020 HARRIS SMD or Through Hole | RURD3020.pdf | |
![]() | MAP5401M-QB-E5-000T | MAP5401M-QB-E5-000T MICRONAS SMD or Through Hole | MAP5401M-QB-E5-000T.pdf | |
![]() | AP10S-4805B | AP10S-4805B ORIGINAL SMD or Through Hole | AP10S-4805B.pdf | |
![]() | C091E3261501 | C091E3261501 AMPHENOL SMD or Through Hole | C091E3261501.pdf | |
![]() | NM-B021 | NM-B021 ORIGINAL SMD or Through Hole | NM-B021.pdf | |
![]() | 05869-47042-1 | 05869-47042-1 S CDIP16 | 05869-47042-1.pdf | |
![]() | TP3064BW | TP3064BW TexasInstruments SMD or Through Hole | TP3064BW.pdf |