창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C8V2S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C8V2SDITR BZX84C8V2STR BZX84C8V2STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C8V2S-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C8, BZX84C8V2S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 0805Y0500104KJT | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805Y0500104KJT.pdf | |
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![]() | LA 130-P | Current Sensor 130A 1 Channel Hall Effect, Closed Loop Bidirectional Module, Single Pass Through | LA 130-P.pdf | |
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![]() | K7M801825B-QC | K7M801825B-QC ORIGINAL QFP | K7M801825B-QC.pdf | |
![]() | SNW7406W | SNW7406W TI SOP14 | SNW7406W.pdf | |
![]() | 66590-1 | 66590-1 TYCO SMD or Through Hole | 66590-1.pdf | |
![]() | UA709C | UA709C S TO8 | UA709C.pdf | |
![]() | LM4050AEM3-2.0/NOPB | LM4050AEM3-2.0/NOPB NSC-NATIONALSEMI SMD or Through Hole | LM4050AEM3-2.0/NOPB.pdf | |
![]() | TL4050A82QDBVR | TL4050A82QDBVR TI SOT23-5 | TL4050A82QDBVR.pdf | |
![]() | GFP50N60TU | GFP50N60TU GY TO-220 | GFP50N60TU.pdf |